Sevimli əlavə et Set Əsas
Vəzifə:Əsas səhifə >> Məhsullar >> RF Transistor

Products Kateqoriya

Products Tags

fmuser Saytlar

FMUSER Orijinal Yeni MRF6V2150NB SMD RF Güc Transistoru Borusu Yüksək Tezlikli Boru Güc Amplifikasiya Modulu Güc MOSFET Transistoru

FMUSER Orijinal Yeni MRF6V2150NB SMD RF Güc Transististor Borusu Yüksək Tezlikli Boru Güc Amplifikasiya Modulu Güc MOSFET Transistor FMUSER orijinal yeni MRF6V2150NB RF Güc Transistor Gücü MOSFET Transistor əsasən 450 MHz-ə qədər genişzolaqlı geniş siqnal çıxışı və sürücü tətbiqetmələri üçün nəzərdə tutulmuşdur. Cihazlar misilsizdir və sənaye, tibbi və elmi tətbiqetmələrdə istifadə üçün uyğundur. Məhsulun təfərrüatları: Hissə nömrəsi: MRF6V2150NB Təsvir: Yan N-Kanallı Tək Uçlu Genişzolaqlı RF Gücü MOSFET, 10-450 MHz, 150 W, 50 V Xüsusiyyətlər: Tipik CW Performansı 220 MHz-də: VDD = 50 Volt, IDQ = 450 mA, Pout = 150 Watt Pow

Detal

Qiymət (ABŞ dolları) Mqdr (PCS) Shipping (USD) Ümumi (USD) Göndərmə üsulu Ödəniş
89 1 0 89 Airmail Göndərmə

 



FMUSER Orijinal Yeni MRF6V2150NB SMD RF Power Transistor Borusu Yüksək Tezlikli Boru Güc Amplification Modulu Power MOSFET Transistor






FMUSER orijinal yeni MRF6V2150NB RF Güc Transistoru Gücü MOSFET Transistoru dəsasən genişzolaqlı böyük siqnal çıxışı və sürücü tətbiqetmələri üçün hazırlanmışdır450 MHz-ə qədər tezliklərlə. Cihazlar uyğunsuzdur və uyğun gəlirsənaye, tibbi və elmi tətbiqetmələrdə istifadə



Product Details:


Psənət nömrəsi: MRF6V2150NB

Təsvir: Yanal N Kanallı Tək Uçlu Geniş Zolaqlı RF Gücü MOSFET, 10-450 MHz, 150 W, 50 V



Xüsusiyyətləri:


220 MHz-də tipik CW Performansı: VDD = 50 Volt, IDQ = 450 mA, Pout = 150 Watt
Güc qazancı: 25.5 dB
Drenaj səmərəliliyi: 69%
10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 210 MHz, 150 Watt işləmə qabiliyyəti
Integrated ESD Müdafiə
Əla Termal Sabitlik
Əllə Qazanma Nəzarəti, ALC və Modulyasiya üsullarını asanlaşdırır
225 ° C qabiliyyətli plastik paket
RoHS uyğun



Ümumi parametrlər:


Transistor növü: LDMOS
Texnologiya: Si
Tətbiq sənayesi: ISM, Yayım
Tətbiq: Elmi, Tibbi
CW / Pulse: CW
Tezlik: 10 - 450 MHz
Güc: 51.76 dBm
Gücü (W): 149.97 W
CW Gücü: 150 W
Güc qazancı (Gp): 23.5 ilə 26.5 dB
Giriş qayıt itkisi: -17 ilə -3 dB arasında
VSWR: 10.00: 1
Polarite: N-Channel
Təchizat Gərginliyi: 50 V
Eşik Gərginliyi: 1 - 3 Vdc
Arızalanma Gərginliyi - Drenaj Mənbəsi: 110 V
Gərginlik - Gate-Source (Vgs): - 0.5 ilə 12 Vdc
Drenaj səmərəliliyi: 0.683
Boşaltma axını: 450 mA
Empedans Zs: 50 Ohm
İstilik müqaviməti: 0.24 ° C / W
Paket növü: flanş
Paket: CASE 1484--04, STYLE 1 TO - 272 WB - 4 PLASTİK
RoHS: Bəli
İşləmə temperaturu: 150 dərəcə C

Saxlama temperaturu: -65 ilə 150 ​​dərəcə 



Paket daxildir:
1x
MRF6V2150NB RF Güc Transistoru



 

 

Qiymət (ABŞ dolları) Mqdr (PCS) Shipping (USD) Ümumi (USD) Göndərmə üsulu Ödəniş
89 1 0 89 Airmail Göndərmə

 

Mesaj yaz 

ad *
mina *
telefon
ünvan
Kodu Doğrulama kodunu görmək? Yenile basın!
Mesaj
 

Message siyahısı

Şərhlər Loading ...
Əsas səhifə| Bizim haqqımızda| Məhsullar| xəbər| Download| Dəstək| Əlaqə| Əlaqə| xidmət

Əlaqə: Zoey Zhang Web: www.fmuser.net

Whatsapp / Wechat: + 86 183 1924 4009

Skype: tomleequan E-poçt: [e-poçt qorunur] 

Facebook: FMUSERBROADCAST Youtube: FMUSER ZOEY

İngilis dilində Ünvan: Room305, HuiLanGe, No.273 HuangPu Road West, TianHe District., GuangZhou, China, 510620 Ünvan Çin dilində: 广州市天河区黄埔大道西273号大道西305号兘号