FMUSER Orijinal Yeni MRF6VP11KH RF Güc Transistoru Güc

FMUSER Original Yeni MRF6VP11KH RF Güc Transistoru Gücü MOSFET Transistor FMUSER MRF6VP11KHR6, əsasən 150 MHz-ə qədər tezlikli impulslu genişzolaqlı tətbiqetmələr üçün nəzərdə tutulmuşdur. Cihaz misilsizdir və sənaye, tibbi və elmi tətbiqlərdə istifadə üçün uygundur. Xüsusiyyətləri 130 MHz-də Tipik Pulsed Performans: VDD = 50 Volt, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 Watt Peak (200 W Ort.), Pulse Width = 100 ecsec, Vəzifə dövrü = 20% Enerji Qazanma: 26 dB Drenaj Səmərəliliyi: 71 10: 1 VSWR işləmə qabiliyyəti, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 Watt Pik Gücü Seri Ekvivalent Böyük Siqnallı Empedans Parametrləri ilə xarakterizə olunan CW İşləmə qabiliyyəti Maksimum 50 VDD Əməliyyat İnteqrasiya olunmuş ESD Qoruyana qədər Yetərli Soyutma

Detal

Əvvəlki:FMUSER Orijinal Yeni D1029UK RF Güc Transistoru Gücü MOSFET Transistor Dual N-Channel MOSFET, 35 A, 70 V, 5-Pin DR D1029UK

Next:FMUSER Orijinal Yeni MRF6V2150NB SMD RF Güc Transistoru Borusu Yüksək Tezlikli Boru Güc Amplifikasiya Modulu Güc MOSFET Transistoru

Qiymət (ABŞ dolları)	Mqdr (PCS)	Shipping (USD)	Ümumi (USD)	Göndərmə üsulu	Ödəniş
215	1	0	215	DHL
				DHL

FMUSER Orijinal Yeni MRF6VP11KH RF Güc Transistoru Güc MOSFET Transistoru

FMUSER MRF6VP11KHR6 əsasən 150 MHz-ə qədər tezlikli impulslu genişzolaqlı tətbiqetmələr üçün nəzərdə tutulmuşdur. Cihaz misilsizdir və sənaye, tibbi və elmi tətbiqlərdə istifadə üçün uygundur.

Xüsusiyyətləri

130 MHz-də tipik impulslu performans: VDD = 50 Volt, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 Watt Peak (200 W Ort.), Pulse Width = 100 ecsec, Duty Cycle = 20%
Güc qazancı: 26 dB
Səmərəlilik qurutmaq: 71%
10: 1 VSWR, 50 Vdc, 130 MHz, 1000 Vatt Peak Power
Seriya ilə bərabər olan böyük siqnal impedans parametrləri ilə xarakterizə olunur
Yeterli Soğutma ilə CW Əməliyyat qabiliyyəti
Maksimum 50 VDD Əməliyyatına qədər yetişdirilmişdir
Integrated ESD Müdafiə
Push-Pull əməliyyat üçün nəzərdə tutulmuşdur
Təkmilləşdirilmiş Sınıf C əməliyyatı üçün Böyük Mənfi Gate-Kaynak Voltaj Aralığı
RoHS uyğun
Kaset və Makarada. R6 şəkilçisi = 150 mm başına 56 ədəd, 13 düymlük makara

spesifikasiya

Transistor Tipi: LDMOS
Texnologiya: Si
Tətbiq sənayesi: ISM, Yayım
Tətbiq: Elmi, Tibbi
CW / Pulse: CW
Tezlik: 1.8 - 150 MHz
Güc: 53.01 dBm
Gücü (W): 199.99 W
P1dB: 60.57dBm
Pik Çıxış Gücü: 1000 W
Darbeli genişlik: 100 bizə
Vəzifə_ dövrü: 0.2
Güc qazancı (Gp): 24 ilə 26 dB
Giriş qayıt: Zərər: -16 ilə -9 dB arasında
VSWR: 10.00: 1
Polarite: N-Channel
Təchizat Gərginliyi: 50 V
Eşik Gərginliyi: 1 - 3 Vdc
Arızalanma Gərginliyi - Drenaj Mənbəsi: 110 V
Gərginlik - Gate-Source: (Vgs): - 6 ilə 10 Vdc
Drenaj səmərəliliyi: 0.71
Boşaltma axını: 150 mA
Empedans Zs: 50 Ohm
İstilik müqaviməti: 0.03 ° C / W
Paket: Növ: Flanş
Paket: CASE375D - 05 STYLE 1 NI - 1230--4
RoHS: Bəli
İşləmə temperaturu: 150 dərəcə C
Saxlama temperaturu: -65 ilə 150 dərəcə C