MRFE6VP5300N RF POWER MOSFET TRANSISTOR -RF Transistor-FMUSER FM / TV Yayımının Birdəfəlik Təchizatçısı

MRFE6VP5300N RF POWER MOSFET TRANSISTOR Təsvir Bu yüksək möhkəmlik cihazları, MRFE6VP5300NR1 və MRFE6VP5300GNR1, yüksək VSWR sənaye (lazer və plazma həyəcanlandırıcıları daxil olmaqla), yayımlanan (analog və rəqəmsal), kosmik və radio / radio tətbiqetmələrdə istifadə üçün nəzərdə tutulmuşdur. 1.8 və 600 MHz arasında geniş tezlik diapazonundan istifadə etməyə imkan verən uyğun olmayan giriş və çıxış dizaynlarıdır. Xüsusiyyətlər ● Geniş İşləmə Frekans Aralığı ● Həddindən artıq möhkəmlik ● Eşsiz Giriş və Çıxış Geniş Frekans Aralığının İstifadəsinə imkan verən ● İnteqrasiya olunmuş sabitlik artımları ● Aşağı İstilik Müqaviməti ● İnteqrasiya edilmiş ESD Qoruma Devri ● RoHS Uyğun ● Kaset və Makarada. R1 şəkilçisi = 500 ədəd, 44 mm lent genişliyi, 13 düymlük makara. Əsas parametrlər

Detal

Əvvəlki:FMUSER Orijinal Yeni MRF171A RF Güc Transistoru Gücü MOSFET

Next:FMUSER Orijinal MRF1K50H RF Güc MOSFET LDMOS Transistor 1500W CW 50-1.8 MHz-dən 500 V-da

Qiymət (ABŞ dolları)	Mqdr (PCS)	Shipping (USD)	Ümumi (USD)	Göndərmə üsulu	Ödəniş
135	1	0	135	DHL
				DHL

MRFE6VP5300N RF GÜÇ MOSFET TRANSISTORU

təsvir

Bu yüksək möhkəmlik cihazları, MRFE6VP5300NR1 və MRFE6VP5300GNR1, yüksək VSWR sənaye (lazer və plazma həyəcanlandırıcıları daxil olmaqla), yayım (analoq və rəqəmsal), aerokosmik və radio / quru mobil tətbiqetmələrində istifadə üçün nəzərdə tutulmuşdur. 1.8 və 600 MHz arasında geniş tezlik diapazonundan istifadə etməyə imkan verən uyğun olmayan giriş və çıxış dizaynlarıdır.

Xüsusiyyətləri
●Geniş Əməliyyat Frekans Aralığı
●Həddindən artıq möhkəmlik
●Geniş Frekans Aralığı İstifadə Qeyri-Tam Giriş və Çıxış
●İnteqrasiya olunmuş Sabitlik İnkişaf etdirmələri
●Aşağı istilik müqaviməti
●İnteqrasiya edilmiş ESD Qoruma Devri
●RoHS uyğun
●Tape və Reel ildə. R1 Suffix = 500 Birimler, 44 mm Tape Genişliyi, 13-inç Reel.

Açar Parametrika
●Tezlik (Min) 1.8 (MHz)
●Tezlik (Maks) 600 (MHz)
●Təchizat Gərginliyi (Tip) 50 (V)
●P1dB (Tip) 54.8 (dBm)
●P1dB (Tip) 300 (W)
●Test Siqnalında 300.0 @ CW-də Çıxış Gücü (Tip) (W) @ Intermodulyasiya Səviyyə
●Test siqnalı CW
●Güc Qazancı (Tip) 25.0 @ 230 (dB) @ f (MHz)
●Effektivlik (Tip) 70 (%)

●Termal Müqavimət (Xüsusi) 0.22 (℃ / W)