BLF878 RF POWER MOSFET TRANSISTOR -RF Transistor-FMUSER FM / TV Yayımının Birdəfəlik Təchizatçısı

BLF878 RF POWER MOSFET TRANSISTOR Təsvir Yayım verici tətbiqləri və sənaye tətbiqləri üçün 300 W LDMOS RF güc transistoru. Transistor 300 MHz-dən 470 MHz-ə qədər olan tam UHF diapazonundan 860 W geniş bant ötürə bilər. Bu cihazın mükəmməl möhkəmliyi və geniş zolaqlı performansı onu rəqəmsal ötürücü tətbiqetmələr üçün ideal edir. simvol Parametr ● frange tezlik diapazonu = 470 - 860MHz ● PL (1dB) nominal çıxış gücü 1 dB qazanma sıxılma 300W ● Test siqnalı: CW ● PL (PEP) çıxış gücü 300 W ● Gp güc qazancı VDS = 42 V; f1 = 860 MHz; f2 = 860.1 MHz; PL (PEP) = 300 W 18 21 dB Xüsusiyyətləri və üstünlükləri ● Mükəmməl möhkəmlik ● Yüksək güc qazancı ● Mükəmməl etibarlılıq ● Yüksək səmərəlilik ● Yaxşı iş

Detal

Əvvəlki:FMUSER 1pcs Orijinal Yeni MRF141G RF Güclü MOSFET Transistor

Next:1 PCS MRF275G orijinal RF transistoru

Qiymət (ABŞ dolları)	Mqdr (PCS)	Shipping (USD)	Ümumi (USD)	Göndərmə üsulu	Ödəniş
226	1	0	226	DHL
				DHL

BLF878 RF POWER MOSFET TRANSISTOR

təsvir

Yayım verici tətbiqləri və sənaye tətbiqetmələri üçün 300 W LDMOS RF güc transistoru. Transistor 300 MHz-dən 470 MHz-ə qədər olan tam UHF diapazonundan 860 W geniş bant ötürə bilər. Bu cihazın mükəmməl möhkəmliyi və geniş zolaqlı performansı onu rəqəmsal ötürücü tətbiqetmələr üçün ideal edir.

simvolu Parametr
●fransız frekans üçündür =470 ilə 860MHz arasında
●PL (1dB) 1 dB-də nominal çıxış gücü 300W sıxılma qazanır
●Test siqnalı: CW
●PL (PEP) çıxış gücü 300 W
●Gp güc qazanmaq VDS = 42 V; f1 = 860 MHz; f2 = 860.1 MHz; PL (PEP) = 300 W 18 21 dB

Xüsusiyyətlər və faydalar
●Əla kələ-kötürlük
●Yüksək enerji gəlir
●Əla etibarlılıq
●Yüksək səmərəlilik
●Yaxşı istilik sabitlik
●Easy güc nəzarət
●Integrated ESD müdafiə
●Daxili giriş və çıxış uyğunluğu
●Optimal istilik davranışı və etibarlılığı üçün inkişaf etmiş flanş materialı

●Təhlükəli maddələrin məhdudlaşdırılması ilə bağlı Direktiv 2002 / 95 / EC uyğun