FMUSER Orijinal Yeni SD2932 RF Güc Tranzistoru Yüksək Güc Gücü 50V MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Yayım Birdəfəlik Təchizatçı

FMUSER Orijinal Yeni SD2932 RF Güc Transistoru Yüksək Gücü Qazanma 50V MOSFET Transistor Xüsusiyyətləri ● Qızıl metallaşdırma ● Mükəmməl istilik dayanıqlığı ● Ümumi qaynaqlı itələmə-çəkmə konfiqurasiyası ● POUT = 300 W min. 15 dB qazanma @ 175 MHz ilə Təsvir FMUSER SD2932, 50 MHz-ə qədər 250 V DC böyük siqnal tətbiqetmələrində istifadə olunan mükəmməl istilik sabitliyinə sahib qızıl metalize edilmiş bir N kanallı MOS sahə effektli RF güc transistorudur. Xüsusiyyət: ● Məhsul kateqoriyası: RF MOSFET tranzistorları ● Transistor polarlığı: N-kanal ● İd - Davamlı boşalma cərəyanı: 40 A ● Vds - Drenaj mənbəyində qəza gərginliyi: 125 V ● Qazanc: 15 dB ● Çıxış Gücü: 300 W ● Minimum İşləmə Temperatur: - 65 C ● Maksimum İşləmə Temperatur: + 150 C ● Montaj Stili: SMD / SMT

Detal

Əvvəlki:FMUSER Orijinal Yeni SD2942 N-Kanal 350W Çıxış RF Güc Transistoru RF MOSFET Transistorları RF Transistoru

Next:FMUSER Original MRF151 To-59 Yüksək Frekanslı Boru 150 W, 50 V, 175 MHz N Kanallı Genişzolaqlı MOSFET RF Enerji Sahəsi Effektli Transistor

Qiymət (ABŞ dolları)	Mqdr (PCS)	Shipping (USD)	Ümumi (USD)	Göndərmə üsulu	Ödəniş
199	1	0	199	DHL
				DHL

FMUSER Orijinal Yeni SD2932 RF Güc Transistoru 50V MOSFET Transistorlu Güc Gücü

Fyeməklər

●Qızıl metalizasiya
●Əla istilik sabitlik
●Ümumi qaynaq push-pull konfiqurasiya
●POUT = 300 W / dəq. 15 dB qazanc @ 175 ilə

MHz

təsvir
FMUSER SD2932, 50 MHz-ə qədər 250 V DC böyük siqnal tətbiqetmələrində istifadə olunan mükəmməl istilik sabitliyinə sahib qızıl metalize edilmiş N kanallı MOS sahə effektli RF güc transistorudur.

Xüsusiyyət:

●Məhsul kateqoriyası: RF MOSFET Transistorları
●Transistor Qütbü: N-Kanal
●İd - Davamlı Drenaj Cərəyanı: 40 A
●Vds - Drenaj mənbəyinin parçalanma gərginliyi: 125 V
●Qazanc: 15 dB
●Çıxış gücü: 300 W
●Minimum işləmə temperaturu: - 65 C
●Maksimum işləmə temperaturu: + 150 C
●Montaj tərzi: SMD / SMT
●Paket / İş: M244
●Qablaşdırma: qab
●Konfiqurasiya: Subay
●İşləmə tezliyi: 250 MHz
●Növ: RF Güc MOSFET
●Pd - Gücün yayılması: 500 W
●Məhsul növü: RF MOSFET tranzistorları
●Alt kateqoriya: MOSFETlər
●Vgs - Qapı mənbəyi gərginliyi: 5 V