FMUSER Orijinal yeni SD2931-11 RF güc tranzistoru yüksək güc qazancı 20V MOSFET tranzistoru-RF tranzistoru-FMUSER FM / TV yayımı tək dayanacaq təchizatçısı

FMUSER Orijinal Yeni SD2931-11 RF Güc Transistoru Yüksək Gücü Qazanc 20V MOSFET Transistoru Təsvir: SD2931-11, qızıl metalize edilmiş bir N-kanal MOS sahə effektli RF güc transistorudur. Standart SD2931 MOSFET-lə elektrik enerjisi ilə eyni olduğundan, 50 MHz-ə qədər 230 V DC böyük siqnal tətbiqetmələrində istifadə üçün nəzərdə tutulmuşdur. SD2931-11, SD2931-ə mexaniki olaraq uyğundur, lakin etibarlılığın və möhkəmliyin kritik amillər olduğu ISM tətbiqetmələri üçün ən yaxşı tranzistorları təmsil edən daha yaxşı istilik qabiliyyəti (% 25 aşağı istilik müqaviməti) təklif edir. Xüsusiyyətlər: * Qızıl metalizasiya * Mükəmməl istilik dayanıqlığı * Ümumi qaynaq

Detal

Əvvəlki:FMUSER Orijinal yeni BLF177 RF güc tranzistoru yüksək güc qazanması 50V MOSFET tranzistoru

Next:FMUSER Orijinal yeni MRFE6VP5600H RF güc tranzistoru gücü MOSFET transistoru 600w FM ötürücü üçün

Qiymət (ABŞ dolları)	Mqdr (PCS)	Shipping (USD)	Ümumi (USD)	Göndərmə üsulu	Ödəniş
108	1	35	143	DHL
				DHL

FMUSER Orijinal yeni SD2931-11 RF güc tranzistoru yüksək güc qazancı 20V MOSFET tranzistoru

Description:
SD2931-11 qızıl metallı N-kanaldır MOS sahə effekti RF güc tranzistoru. Olmaq standart SD2931 ilə eyni elektrik MOSFET, 50 V böyük ölçülü istifadə üçün nəzərdə tutulmuşdur 230 MHz-ə qədər siqnal tətbiqetmələri. SD2931-11 mexaniki uyğun gəlir SD2931 lakin əlavə olaraq daha yaxşı bir istilik təklif edir qabiliyyət (25% aşağı istilik müqaviməti), ISM üçün ən yaxşı sinif tranzistorlarını təmsil edir etibarlılıq və möhkəmliyin olduğu tətbiqlər kritik amillər.

Xüsusiyyətləri:
* Qızıl metalizasiya
* Əla istilik sabitlik
* Ümumi qaynaq konfiqurasiyası
* POUT = 150 W dəq. 14 dB qazancı ilə @ 175MHz
* Termal gücləndirilmiş qablaşdırma aşağı
* qovşaq temperaturu
* GFS və VGS növ bölmədə qeyd edilmişdir

Xüsusiyyət:

* Seriya: SD2931
* Məhsul kateqoriyası: RF MOSFET Transistorları
* Transistor Qütbü: N-Kanal
* Texnologiya: Si
* İd - Davamlı Drenaj Cərəyanı: 20 A
* Vds - Drenaj mənbəyinin parçalanma gərginliyi: 125 V
* Qazancı: 15 dB
* Çıxış gücü: 150 W
* Minimum işləmə temperaturu: - 65 C
* Maksimum işləmə temperaturu: + 200 C
* Montaj tərzi: Vida dağı
* Qablaşdırma: toplu
* Konfiqurasiya: Tək İkili Mənbə
* Boy: 7.11 mm (Maks)
* Uzunluq: 24.89 mm (Maks)
* İşləmə tezliyi: 230 MHz
* Eni: 12.83 mm (Maks)
* Kanal rejimi: Təkmilləşdirmə
* Pd - Gücün bölüşdürülməsi: 389 W
* Vgs - Qapı mənbəyi gərginliyi: 20 V