FMUSER Orijinal BLF888A 600W 50V UHF Gücü LDMOS RF Güc Transistoru-RF Transistoru-FMUSER FM / TV Yayımının Birdəfəlik Təchizatçısı

FMUSER Orijinal BLF888A 600W 50V UHF Güc LDMOS RF Güc Transistoru Təsvir: Yayım verici tətbiqləri və sənaye tətbiqetmələri üçün 600 W LDMOS RF güc transistoru. Bu cihazın mükəmməl möhkəmliyi onu rəqəmsal və analoq ötürücü tətbiqetmələr üçün ideal edir. Xüsusiyyətlər ● Mükəmməl möhkəmlik (VSWR ≥ 40: 1 bütün mərhələlərdə) ● Optimal istilik davranışı və etibarlılığı, Rth (jc) = 0.15 K / W ● CW UHF və ISM tətbiqetmələri üçün uyğundur ● Yüksək güc qazancı ● Yüksək səmərəlilik ● Genişzolaqlı iş üçün dizayn edilmişdir (470 MHz - 860 MHz) ● Yüksək qazanc və optimal genişzolaqlı iş üçün daxili giriş uyğunluğu ● Mükəmməl etibarlılıq ● Asan

Detal

Əvvəlki:FMUSER MRFE6VP5150N RF Güc LDMOS Transistorları Yüksək Möhkəmlik N - Kanal Gücləndirilməsi - Mode Yanal MOSFETlər Transistor

Next:FMUSER Original MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF Güc Transistoru Gücü MOSFET Transistor N-Kanalı

Qiymət (ABŞ dolları)	Mqdr (PCS)	Shipping (USD)	Ümumi (USD)	Göndərmə üsulu	Ödəniş
296	1	0	296	DHL
				DHL

FMUSER orijinal BLF888A 600W 50V UHF Gücü LDMOS RF Gücü Tranzistor

Description:

A 600 W LDMOS RF güc transistoru yayım verici tətbiqləri və sənaye tətbiqləri üçün. Bu cihazın əla möhkəmliyi rəqəmsal və analog ötürücü tətbiqləri üçün idealdır.

Xüsusiyyətləri

● Mükəmməl möhkəmlik (VSWR ≥ 40: 1 bütün mərhələlərdə)
● Optimum istilik davranışı və etibarlılığı, Rth (jc) = 0.15 K / W
● CW UHF və ISM tətbiqləri üçün uyğundur
● Yüksək enerji gəlir
● Yüksək səmərəlilik
● Genişzolaqlı əməliyyat üçün nəzərdə tutulmuşdur (470 MHz 860 MHz)
● Yüksək qazanc və optimal genişzolaqlı əməliyyat üçün daxili giriş uyğunluğu
● Əla etibarlılıq
● Easy güc nəzarət
● Təhlükəli Maddələrin Məhdudlaşdırılmasına (RoHS) 2002/95 / EC Direktivinə uyğundur

Applications
● UHF bandında rabitə verici tətbiqləri

● UHF qrupundakı sənaye tətbiqləri

Parameters

● Israilli Parametr Şərait Min Tip / ad: Max vahid
● F aralığı frekans üçündür: 470 860 MHz
● PL (1dB) nominal çıxış gücü: 1 dB qazanda sıxılma 600 IN
● Test siqnalı: DVB-T (8k OFDM)
● Gp güc qazanmaq VDS = 50 V; f = 858 MHz 20 dB
D drenaj səmərəliliyi VDS = 50 V; f = 858 MHz; IDq = 1.3 A 31 %
● PL (AV) orta çıxış gücü VDS = 50 V; f = 858 MHz 120 IN
● MDshldr intermodulasiya təhrif çiyin zəifləməsi f = 858 MHz [0] 31- dBc
● BY pik-orta nisbət f = 858 MHz [1] 7.8 dB
● Növü: RF Gücü Ayrı Transistorlar
● Tezlik Min: 0.47 GHz
● Maksimum tezlik: 0.86 GHz
● Çıxış Gücü: 600 Vt.

● Gəlir: 20 dB

● Səmərəlilik növü: 58